Аннотация. В данной статье предложена адаптированная методика контроля функциональных сбоев в NOR flash-памяти при испытаниях на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц. Эксперимент проводился на базе циклотрона У-400. Экспериментальные результаты апробации адаптированной методики показали необходимость разделения функциональных сбоев (ФС) на 5 типов в зависимости от характера каждого ФС и подтверждают необходимость адаптации методики и средств контроля для оценки параметров чувствительности к воздействию тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ) по одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) ФС. Полученные результаты предоставляют дополнительные данные о параметрах чувствительности микросхем к воздействию ТЗЧ по ОРЭ производителю аппаратуры для разработки системы парирования наблюдаемых эффектов в аппаратуре, чтобы увеличить безопасность хранящейся информации. Ключевые слова: функциональный сбой, тяжёлые заряженные частицы, стойкость, микросхема, аппаратно-программный комплекс.