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f [s ±1 ] Frequenz des Wechselstroms I eff [A] Effektivwert des Wechselstroms Iso [±] Isododecan q T [C] Tropfenladung q 3 (x) [m ±1 ] Volumendichteverteilung r G [m] Radius der Gegenelektrode r T [m] Tropfenradius S [m 2 ] Oberfläche Tol [±] Toluol U eff [V] Effektivwert der Wechselspannung [m 3 s ±1 ] Volumenstrom Dispersphase W E [J] elektrische Energie W S [J] Oberflächenenergie AE AD [m] Kapillarauûendurchmesser AE ID [m] Kapillarinnendurchmesser g r i e c h i s c h e B u c h s t a b e n e [As V ±1 m ±1 ] Dielektrizitätszahl g [Pa s] Viskosität k D [S m ±1 ] elektrische Leitfähigkeit der Dispersphase r [kg m ±3 ] Dichte r [N m ±1 ] Grenzflächenspannung x [s ±1 ] Kreisfrequenz des Wechselstroms Literatur [1] Lord R AY L E I G H Ziel der Untersuchungen war es, zu klären, ob und wie Anzahl und Gröûe der Impfkristalle die Keimbildung beeinflussen. Auch der Einfluss unterschiedlicher Abkühlraten sollte bestimmt werden. Ferner sollte untersucht werden, wie die Primärkeimbildung und die Sekundärkeimbildung durch Fremdstoffe beinflusst werden. Dazu wurden in einer weitestgehend automatisierten Apparatur Untersuchungen an unterschiedlichen Modellsystemen (KCl/H 2 O, NaClO 3 / H 2 O, (NH 4 ) 2 SO 4 /H 2 O) mit und ohne Fremdstoff durchgeführt. TheorieEs ist bekannt, dass die metastabile Breite sowohl von der Abkühlrate als auch von unterschiedlichen Additiven beeinflusst wird. Auf diese beiden Effekte soll im Folgenden näher eingegangen werden. Abhängigkeit der metastabilenZonenbreite der Sekundärkeimbildung von der Abkühlrate M U L L I N [1] beschreibt den Zusammenhang zwischen der maximal erreichbaren Unterkühlung DT und der Abkühlrate b mittels Gl. (1) 1) :log b = (m ± 1) log dc à dT ± log e + log k n + m log DTDarin ist m die Keimbildungsordnung, dc*/dT die ¾nderung der Löslichkeit mit der Temperatur und k n die Keimbildungsratenkonstante. e stellt einen Faktor dar, mit dem eine Hydratbildung berücksichtigt werden kann. Da die hier untersuchten Systeme nicht in Form von Hydraten kristallisieren, ist e = 1. Somit ist log b linear abhängig vom Logarithmus der maximal erreichbaren Unterkühlung log DT.N Y V LT [2] modifizierte diese Gleichung dahingehend, dass nun das Wachstum zwischen Keimbildung und Detektion der Keime berücksichtigt wird. Er fasste die Steigung der Geraden, die aus der doppelt logarithmischen Auftragung von der Abkühlrate über der Unterkühlung resultiert, nicht nur als Keimbildungsordnung m auf, sondern