A novel semiclosed diffusion technique for InP has been developed. As diffusion source an InP wafer evaporated with a thin layer of metallic zinc was used. The source is separated at a distance of 150 pm from the sample. The dependence of the zinc concentration and the free-hole concentration on the thickness of the zinc layer and the time was investigated. The technique makes it possible to obtain free-hole concentration of (8 f 2). 1 O I 8 cm-3.Es wird iiber ein halbgeschlossenes Diffusionsverfahren berichtet. Als Diffusionsquelle dient eine mit Zink bedampfte InP Scheibe, die im Abstand von 150 pm von der Probe angeordnet ist. Der EinfluD der Zink-Schichtdicke und der Zeit auf die Zink-und Locherkonzentration werden untersucht. Unter optimierten Bedingungen ist eine Locherkonzentration von (8 & 2). 10l8 cm-3 erreichbar.