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Crystal growth features on stearic acid, potassium nitrate, and potash alum have been determined by means of scanning force microscopy (SFM). Structures like growth spirals, etch pits, 2D‐nuclei, and growth hillocks could be observed. The analysis of the face specific surface topographies leads to structures which correspond to those expected from kinetic measurements.

der Monomere pro Flacheneinheit, zur Anzahl an kritischen Keimen sowie zur Oberflache eines solchen kritischen Keims. Sind fremde Oberflachen rnit der Losung in Kontakt, so reduziert sich, abhangig von den Oberflachenenergien der beteiligten Stoffe, die Keimbildungsarbeit, die fiir die Bildung eines kritischen Keims aufzubringen ist. Da sich der Keimbildungsvorgang dann nicht im Volumen der Losung sondern an der Oberflache des Fremdstoffs abspielt, wird in der hier vorgestellten Arbeit der Vorgang als OberflachenprozeR beschrieben. Die ermittelte Keimbildungsrate pro Flacheneinheit wird anschlieRend mit der volumenbezogenen Oberflache an Fremdpartikeln multipliziert.Im experimentellen Teil werden Versuche in einem T-Rohrkristallisator diskutiert, bei denen abhangig von der Art und der Menge an Fremdpartikeln in der Losung Raten der heterogenen Keimbildung gemessen wurden. Die Versuche wurden mit BaSO, in einem ijbersattigungsbereichvon 10 < S, < 2000 durchgefiihrt. Als Losungsmittel wurde zunachst hochreines Wasser verwendet, welches in weiteren Versuchsreihen mit Partikeln aus SiO,, Al,O,, TiO, und ZrO, in der GroRenordnung von wenigen Nanometern versetzt wurde. Dabei wurden als Versuchsparameter die GroRe und Anzahl der zugegebenen Partikel variiert. Durch halblogarithmische Auftragung der Versuchsergebnisse iiber dem Quadrat der reziproken Ubersattigung laRt sich das Verhaltnis der Keimbildungsarbeiten aus der Steigung der Regressionsgeraden im homogenen und heterogenen Bereich ermitteln. Die Ergebnisse zeigen einen deutlichen EinfluR sowohl der Menge an zugegebener Fremdstoffoberflache als auch der Art des zugegebenen Fremdstoffs auf die Keimbildungsvorgange. Bei Zugabe von Fremdstoffen wurden envartungsgema8 hohere Raten an heterogener Keimbildung gemessen als bei Venvendung hochreinen Wassers, im homogenen Bereich konnte kein EinfluR der Fremdpartikel beobachtet werden. Fur jede Paarung Kristallisat/Fremdstoff 1aRt sich ein charakteristisches Verhaltnis der Keimbildungsarbeiten angeben. Die Ergebnisse erlauben Angaben dariiber, wie sich durch die Zugabe oder das Entfernen von Fremdstoff die Rate der heterogenen Keimbildung und damit die mittlere KorngroBe des Produkts beeinflussen 1aRt. Die Wachstumsgeschwindigkeit WG von Kristallen gleicher Herkunft und gleicher GroRe ist unterschiedlich und wechselt von Zeit zu Zeit; diese Dispersion D der Wachstumsgeschwindigkeit wird phanomenologisch rnit dem RF-(random fluctuation) -oder dem CCG-(constant crystal growth)-Model1 beschrieben. Daher 1aRt sich die Wachstumsgeschwindigkeit eines einzelnen Kristalls nicht vorhersagen sondern nur die mittlere Wachstumsgeschwindigkeit eines Ensembles bestimmen. Bei der Untersuchung der Ursachen der Dispersion wurden Kaliumnitrat-und Kaliumaluminiumalaunkristalle in waRriger Losung venvendet. Das Wachstum von Kristallen unterschiedlicher Herkunft und GroRe (10 pm bis 3 cm) wurde iiber einen Zeitraum von 30min bis 2 mon meist flachenspezifisch bestimmt. Abriebsteilchen aus einem MSMPR-Kristallisator (0 = 10 bis 100 pm) wachsen s...