Розглянуто умовні позначення інтегральних мікросхем як приклад класифікації та скороченої назви (коду) технічних виробів для відповіді на запитання: Чому кажуть, що деякі системи позначень є «інформативнцішими?». Чи дійсно в таких позначеннях міститься більше інформації порівняно з іншими системами? Такі задачі тісно пов'язані з задачами машинного навчання та побудови «семантичної павутини». На основі алгебраїчного підходу та теорії множин розглянуто характеристики ентропії класифікації позначень та показано, що ентропія такого кодованого позначення менше ніж довільної системи запису технічних характеристик, що пояснюється позиційною структурою позначення і відповідно меншою потужністю множин, які складають конкретне позначення. На основі підходу інформаційної алгебри підтверджено, що встановлення в технічних позначеннях атомарної структури множин, яким ставляться у відповідність технічні характеристики, дійсно відповідає математичному визначенню інформативнішої структури. На основі математичної теорії натяків проаналізовано структуру технічного позначення та вказано на можливість отримання додаткової інформації, наприклад взаємозв'язків між різними групами технічних параметрів. Вона буде отримана внаслідок запитань, що уточнюють інтерпретацію існуючих відповідей. Це є наслідком властивості ентропії натяків, яка має дві складовіентропію Шеннона та узагальнену міру Хартлі, які відповідають ймовірнісній інформації про справжню інтерпретацію відповіді в наборі та реляційній інформації про справжню відповідь про деякий тип параметрів інтегральних схем. Технічне позначення виявляється дієвим прикладом, на якому можна застосувати розглянуті математичні теорії, і відповідно може бути прикладом коду, який, з одного боку може бути зрозумілим людині, а з іншоговикористовуватися в системах машинної обробки інформації. Ключові слова: ентропія, інформація, технічні позначення, алгебраїчна теорія ентропії, ентропія класифікації, інформаційна алгебра, теорія натяків (підказок).

The system of equations for processes in the amplifier output network is analytically formulated. This system of equations considers parameters of resonant networks at higher harmonics. To calculate amplifier output network, the system of five equations was built for five unknowns, to which the condition of positive second voltage derivative at extremum of drain voltage was added. Two equations correspond to class E conditions, another two — quadrature waveforms at load and at additional resonant network. The last equation is the condition of extremum at the point near middle of drain voltage pulse. This system was solved using computer algebra program. The circuit elements and waveforms were calculated using the derived parameters. By choosing different parameters, it is possible to obtain various amplifier realizations, which will demonstrate features of different class F variants. The obtained amplifier parameters drain voltage and current waveforms were verified with calculated ones using the harmonic balance simulating software. The variant, which is closer to class E/F3 mode, was chosen to build an experimental amplifier prototype on frequency 2MHz using IRF530 MOSFET as a switch. The prototype was tested in the range of supply dc voltage up to 24V with the output power greater than 6W, while the amplifier efficiency was >80%. In the experiment, the ratio of peak drain voltage to dc supply voltage was measured to be 3.3 at the duty ratio 50%, unlike class E amplifier, where this value is around 3.65, and on practice, considering non-linear drain to source capacitance, it may achieve 4. The experimental second harmonic level amounted to be -20 dB relatively to fundamental, and the third one — 28.5 dB, which is due to an additional second harmonic filter. The paper results are useful for introduction of such circuits to practice.

No abstract

The widespread use of the NFC technology (Near Field Communication) arouses interest to various security aspects. There are known examples of information exchange with card at a distance greater than standard 5-10 cm. It is also interesting to use signals of higher harmonics, which potentially may be radiated in the form of electromagnetic waves, rather than exists as a magnetic field of scattering. In this work, the radiation of third harmonic by card of standard ISO 14443-3А with the fundamental frequency 13.56 MHZ for various excitation modes using the RFID-RC522 reader, smartphone Sony Xperia Z5 Premium, and continuous 10% amplitude modulated 13.56 MHz signal from generator with the subcarrier of imitated smart card response 847.5 kHz was investigated. The card response at third harmonic was simulated in circuit analysis software. Both simulation and experiment proved, that the third harmonic with its side frequencies 40,68 ± 0,8475 MHz have the highest level after the fundamental. To receive the third harmonic signal, the resonant loop antenna in the form of ring vibrator loaded on capacitor was used. This allows the sizes of the received system to be reduced, but the problem of complex field structure in the near-field zone remains. Due to narrow bandwidth of the receiver antenna, the registration of card response signal was complicated. The experiments with three methods of signal generation proved, that third-harmonic signal is registered at the distance more than 1.5m, which may pose a threat for contactless smart-cards transactions security. At the same time, the influence of high level of noise at such a distance may cause difficulties to decode the short-duration signals, which requires further study.

No abstract