Trap-assisted tunneling current in metal-insulator-semiconductor and metal-semiconductor (Schottky) structures with traps in the insulator and in the semiconductor, respectively, is obtained, using the stationary resonance model. The two-band model is considered for the insulator gap of the MIS structure, introducing an effective potential barrier. A comparison between resonant and direct tunneling currents in MIS structures is performed, showing that the main conduction mechanisms is determined by the trap density, the oxide thickness, and the trap depth. For the Schottky diodes, the resonant current-voltage characteristic is analysed as function of the centre of resonance of the system. A discussion between resonant tunneling in MIS and Schottky structures is also included. Der durch Haftstellen unterstutzte Tunnelstrom in Metall-Isolator-Halbleiterund Metall-Halbleiter(Schottky)-Strukturen mit Haftstellen im Isolator bzw. Halbleiter wird mit dem stationtiren Resonanzmodell erhalten. Fur die Isolatorliicke wird das Zwei-Bandmodell benutzt und eine effektive Potentialbarriere eingefiihrt. Ein Vergleich zwischen den resonanten und direkten Tunnelstromen in den MIS-Strukturen wird durchgefiihrt und gczeigt, da13 der Hauptmechanismus der Leitung durch die Haftstellendichte, die Oxiddicke und die Haftstellentiefe bestimmt wird. Fur die Schottky-Dioden wird die resonante Strom-Spannungscharakteristik in Abhtingigkeit vom Resonanzzentrum des Systems analysiert. Der Vergleich zwischen Resonanz-Tunnelung in MISund Schottky-Strukturen wird diskutiert.

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