The localization properties of the single-particle and collective electron excitations were investigated in the intentionally disordered GaAs/AlGaAs superlattices by weak-field magnetoresistance and Raman scattering. The localization length of the individual electron was found to be considerably larger than that of the collective excitations. This suggests that the disorder has a weaker effect on the electrons than on their collective motion and that the interaction which gives rise to the collective effects increases localization.

El efecto del desorden estructural en el esparcimiento Raman de los modos acoplados plasmón - fonón LO, fue estudiado en aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Las asimetrías de las líneas Raman nos permitió la observación de estos modos debido a que la simetría traslacional del cristal fue destruida. El análisis de la posición y la forma de sus líneas espectrales proporciona información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Observamos que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante, lo cual sugiere posibles pérdidas en el proceso de evaporación del Silicio o al exceso de tiempo de evaporación. Los resultados fueron verificados por medidas de Capacitancia versus Voltaje para dos muestras.