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This report summarizes some of the calculations based on the Heisenberg model using the molecular field theory approximation and the Green's fnnct.ion technique. The results are compared with the corresponding ones of other authors. Some consequences are pointed out for the experiment e.g. application of the Mijssbauer effect.In dieaer Arbeit wird uber einige Berechnungen der riiumlichon Magnetisieriingsverteilung in dlnnen Schichten auf der Grundlage dea HeisenbergModells nnter Benutzung der Molekularfeldtheorie und der Technik der Greenechen Funlitionen berichtet. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit den entsprechenden Ergebnissen anderer Aiitoren verglichen. Ferner werden einige Konsequenzen ftir das Experiment, z. B. fur den MoBbauer-Effekt, aufgezeigt. IntroductionThere are some phenomena, as e.g. the spin wave resonance, the understanding of which necessitates a detailed knowledge of the spatial distribution of the magnetization in magnetic thin films (see e.g. [l]). Thanks t o the recent progress in the experimental technique using the M6ssbeuer effect it, seems to be possible to investigate the local distribution of the magnetization (see e.g. [2]). Itt is, therefore, desirable t o see what may be expected from the theory starting with some simple theoretical model. I n this paper we report on some older calculations not yet published till now and on some recent calculations using the molecular field treatment and the Green's function technique. Calculating the local magnetization of a film we use the subdivision of the film into atomic layers parallel to the surface of the film as introduced in [3] (see also [4]). We treat then the layers aa some generalized NBel sublattices and evaluate their mean magnetization. Though the magnetization of a layer is not a good quantum number, there are some reasons, given in [3] and recently by Koppe and Jelitto in [5] in favour of such a treatment. We start with a survey of our results of the molecular field treatment,

Mit einem Elektronentransportmodell, das auf einem lokalen, polaren Spinmodell und dem Yamashita‐Kurosawaschen Elektronensprungmodell basiert, wird die statische elektrische Leitfähigkeit des stöchiometrischen Fe3O4‐Kristalls mit dem Zener‐Austausch oberhalb des Übergangspunktes bei fester ferrimagnetischer Spinkopplung berechnet. Es wird gezeigt, daß die charakteristische Größe der Elektron‐Schallquantenkopplungsstärke der Sprungelektronen die Ursache für das Leitfähigkeitsmaximum oberhalb des Übergangspunktes ist. Zwischen der Temperaturlage des theoretischen und experimentellen Leitfähigkeitsmaximums besteht jedoch ein Unterschied.

Starting from the well-known idea of atomic shadowing during growth (i.e. ballistic aggregation) a computer model is developed which includes surface relaxation by thermally induced surface diffusion, desorption, angular distribution of the oncoming atoms, and atomic attraction as well for one-and two-(or more-) component systems. This enables to consider such deposition parameters as substrate temperature, energy of oncoming particles, deposition geometry, and inert gas pressure. The model is applied to investigate the influence of various deposition parameters on the morphology of thin films, especially on the structure of nodular defects.Ausgehend vom bekannten Ansatz der atomaren Abschattung (d. h. der ballistischen Aggregation) ist ein Rechnermodell fur das Dunnschichtwachstum beim Aufdampfen und Sputtern entwickelt worden, das fur ein-und mehrkomponentige Systeme die thermisch induzierte Oberflachendiffusion, Desorption, die Winkelverteilung der einfallenden Atome und deren Wechselwirkung mit der Schicht einschliel3t. Es erlaubt dadurch, solche Abscheideparameter wie Substrattemperatur, Energie der einfallenden Teilchen, Abscheidegeometrie und Inertgasdruck mit zu berucksichtigen. Das vorgestellte Model1 wird benutzt, um den EinfluB verschiedener Abscheideparameter auf die Schichtmorphologie, insbesondere die Struktur nodularer Defekte zu untersuchen.