CeNiIn1.0-0.7Ge0-0.3 (ZrNiAl-type structure): a = 0.7530-0.75078(4), c = 0.3974-0.39883(2) nm; CeNiGe1.0-0.7In0-0.3 (TiNiSi-type structure): a = 0.7242-0.72864(4), b = 0.4308-0.43363(2), c = 0.7241-0.72776(3) nm;The substitution of the Indium by Germanium was confirmed from the investigated crystal structure of the CeNiIn0.95Ge0.05 compound by X-ray single crystal method (ZrNiAl-type structure; space group P-62m; a = 0.74877(11), c = 0.40085(8) nm; R1 = 0.0284; 312 F 2 values; 15 variables). In the structure of title compound the mixture of (0,95In + 0,05Ge) occupies the 3g (x 0 1/2) site.The formation of solid solutions and the character of the unit cell parameters variation in the studied and related systems briefly discussed.

Взаємодію компонентів у системах LaNiIn1-xMx (M = Al, Ge) вивчено методами рентгеноструктурного, рентгенівського фазового та, частково, локального рентгеноспектрального аналізів при 870 K у повному концентраційному інтервалі. Визначено обмежену розчинність на основі вихідних сполук еквіатомного складу, визначено межі твердих розчинів й уточнено параметри елементарних комірок для них.Виявлено існування нової тернарної сполуки еквіатомного складу LaNiGe (структурний тип LaPtSi, просторова група I41md, a=0,42068(2), c=1,43971(10) нм).Обговорено особливості взаємодії компонентів у досліджених системах.