The broad range of possibilities for optimizing the design and electrical parameters of crystals of Schottky diodes, manufactured according to the mesa–substrate and mesa–mesa planar technologies with anode terminals in the form of an air bridge with a whisker, along with the use of higher quality compact models, make it possible to efficiently exploit the physical potential of Schottky contacts when designing monolithic integrated circuits according to diode technologies, increase their reliability, and overcome the significant lag of semiconductor electronics behind optoelectronics in the terahertz (THz) frequency range.

Определены основные морфологические параметры 50-омных Au/i-GaAs\100\ тонкопленочных микрополосковых золотых СВЧ копланарных линий передач длиной lW, влияющие на активное сопротивление их скин-слоя R и индуктивность L. Получено, что латеральный характер распределения зерен и развитый рельеф их поверхностей приводит к возникновению дополнительных процессов рассеяния электронов как на границах зерен, так и на неоднородностях рельефа. Малый размер зерен, dx<133 нм, на частотах f>10 ГГц переводит аномальный скин-эффект в нормальный. При этом нелинейная зависимость R от lW в локальном приближении обеспечивается фрактальной геометрией рельефа поверхности и приповерхностной области копланарных линий передач, а нелинейная зависимость индуктивности L от lW --- не только фрактальными особенностями рельефа двухмерной поверхности копланарных линий передач, но и фрактальными особенностями трехмерного распределения ее зерен. Ключевые слова: СВЧ линии, скин-эффект, морфология поверхности, фракталы, размерность Хаусдорфа--Безиковича, S-параметры рассеяния, компактная модель, экстракция параметров.