No abstract

A technique is proposed for determining the spatio-temporal dynamics of current in semiconductor heterostructures. This technique is based on the modulation of external radiation during passage through the crystal under study. Approbation of the technique was carried out on semiconductor laser-thyristor based on AlGaAs/ InGaAs/GaAs heterostructures. The experimental results are in a good qualitative agreement with previous measurements of the spatio-temporal dynamics in the laser-thyristor.

Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, фототок, квантовая яма, нитрид галлия.

No abstract

No abstract