Представлены результаты экспериментального исследования магнитоэлектрического эффекта в мно-гослойных структурах никель−олово−никель, полученных гальваническим осаждением на подложку из арсенида галлия. Описана технология изготовления структур и представлена частотная зависимость эффекта. Показано, что использование олова в качестве промежуточного слоя уменьшает механические напряжения, возникающие вследствие несоразмерности фаз на границе никель−арсенид галлия, что позволяет получать качественные структуры с толщиной никелевого слоя порядка 70 µm. Полученные структуры обладают хорошей адгезией между слоями и имеют высокую добротность. DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45407.2391 Введение Слоистые композиционные магнитострикционно-пье-зоэлектрические материалы привлекают к себе внима-ние тем, что величина магнитоэлектрического (МЭ) эффекта в них значительно больше, чем в объемных композитах [1]. По сравнению с объемными компози-тами они обладают малыми токами утечки благодаря тому, что магнитострикционная фаза с более высокой проводимостью изолируется пьезоэлектрической фазой с высоким удельным сопротивлением. При этом в ка-честве магнитострикционной фазы можно использовать материалы с высокой проводимостью, обладающими большим коэффициентом магнитострикции. Большин-ство слоистых магнитострикционно-пьезоэлектрических структур получено методом склеивания фаз. Однако использование клея делает процесс крайне нетехноло-гичным, кроме того, уменьшается величина эффекта и ухудшается добротность структуры [2]. Большим недо-статком клеевых слоистых структур является плохая механическая прочность, расслоение образцов по гра-ницам фаз. Это существенно ограничивает практическое применение таких структур.При выборе материалов для изготовления структур в качестве магнитострикционной фазы обычно выбира-ют материал с большим коэффициентом магнитострик-ции λ, такие как Ni, Co, FeCo, FeGa, аморфные и редкоземельные сплавы, а в качестве пьезоэлектриче-ской фазы старались использовать материалы с большим пьезоэлектрическим модулем d (керамика цирконата-титаната свинца, кристаллы магниониобата−титаната свинца, крислаллы лангатата, ниобата лития, титаната бария и т. д.) [3,4]. Однако, как показывают расчеты [5], величина МЭ эффекта прямо пропорциональна пьезомо-дулю и обратно пропорциональна диэлектрической про-ницаемости пьезоэлектрика. Хотя величина пьезомодуля у GaAs почти в 40 раз меньше, чем у ЦТС (GaAs d = −2.69 pKl/m, ЦТС d = 100 pKl/m), его диэлектри-ческая проницаемость в 135 раз меньше, чем у ЦТС (GaAs ε = 12.9, ЦТС ε = 1750). Это приводит к тому, что при прочих равных условиях следует ожидать, что величина МЭ эффекта в структурах на основе GaAs будет в 3.5 раза больше, чем в структурах на основе ЦТС. Кроме того, использование арсенида галлия в качестве пьезоэлектрика исключает такую операцию, как предварительная поляризация, которая необходима, если в качестве пьезоэлектрика выбирается пьезокера-мика ЦТС.Впервые МЭ эффект в структуре на основе арсенида галлия исследовался в работе [6]. Авторы ушли от клеевых структур и магнитостри...