Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе.Работа частично поддержана РФФИ (проект № 14-02-01212) и РНФ (проект № 15-12-00027).

Establishing the features of interfacial effects on the electrical conductivity of graphene is crucial for successful design of novel graphene-based electronic devices, including chemical sensors and biosensors. We study electrical properties of monolayer graphene, prepared by thermal decomposition of silicon carbide in argon, in the field-effect transistor and the four-probe geometries. Alterations in the electrical properties of graphene in response to placing a quantity of water on its surface followed by removal of the water are investigated. In these geometries, the field effect is shown to play a key role in the way the electrical properties of graphene are affected by the formation of the graphene–water interface.