Пленки феррита висмута BiFeO выращены на монокристаллической подложке (001) MgO по блочному механизму роста методом высокочастотного катодного распыления с использованием в качестве буферного слоя сегнетоэлектрика BaSr _ TiO при варьировании состава x. Изучение гетероструктур методом рентгеновской дифракции показало, что пленки характеризуются псевдотетрагональной симметрией при комнатной температуре. Определено, что степень тетрагонального искажения слоев BaSr _ TiO возрастает с увеличением концентрации Ba, в то время как в слоях BiFeO она остается практически неизменной. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что пленки BiFeOвыросли по блочному механизму роста, причем блоки строго ориентированы относительно друг друга и кристаллографических осей подложки MgO. Высокотемпературные исследования спектров комбинационного рассеяния света в широком диапазоне температур 295-900 K и частот от 50 до 1600 смпоказали, что интенсивность полосы 1250 см, соответствующей плотности состояний двухмагнонных возбуждений, линейно понижается при повышении температуры. Анализ температурного поведения полосы 1250 см позволяет предполагать, что в изученных пленках BiFeO антиферромагнитный фазовый переход происходит в диапазоне температур 600-700 K. Использование сегнетоэлектрических буферных слоев BaSr _ TiO с разной степенью тетрагонального искажения позволяет управлять деформацией пленок BiFeO, возникающей в результате несоответствия параметров решеток в смежных слоях, и тем самым искусственно варьировать свойства данных структур.

The properties of c-oriented thin films Sr0.5Ba0.5Nb2O6 grown on a Si(001) (p-type) substrate with a pre-deposited Ba0.2Sr0.8TiO3 layer were studied using scanning probe microscopy and dielectric spectroscopy. It is established that the films Sr0.5Ba0.5Nb2O6 are characterized by low surface roughness (less than 6 nm), average crystallite size 93 nm. It is shown that there is spontaneous polarization in the film directed from its surface to the substrate, which caused the manifestation of the field effect for the case of the Si substrate with p-type conductivity without external field effect. Differences in the magnitude of the surface potential signal for regions polarized by an external electric field of different polarities (+10 and −10 V), as well as in their relaxation to the initial state, are revealed. The reasons for the established patterns are discussed.