Проведено сопоставление структуры и кинетики электронно-лучевой кристаллизации аморфных пленок ZrO 2 , полученных с помощью ионно-плазменного и лазерного напыления. Исследования выполнены методами электронографии и просвечивающей электронной микроскопии со съемками видео-фильмов in situ. Воздействие на аморфную пленку электронного луча в вакууме сопровождается образованием микрокристаллов диоксида циркония с решеткой ГЦК. При лазерном испарении плотность центров кристаллизации β ∼ 10 9 sm −2 , а характерная единица длины D 0 ∼ 0.48 µm. При ионно-плазменном испарении β ∼ 10 10 sm −2 , а D 0 ∼ 0.06 µm. Анализ кинетических кривых кристаллизации аморфных пленок проведен на основе β-варианта модели Колмогорова.

Проведено электронно-микроскопическое исследование кинетики слоевой и островковой кристаллизации аморфных пленок V 2 O 3 , осажденных лазерным распылением V в атмосфере кислорода. Кристаллизацию инициировали воздействием электронного луча на аморфную пленку в колонне микроскопа. Кинетические кривые строили на основании покадрового анализа видеофильма, снятого в процессе кристаллизации пленки. Установлено, что при слоевой кристаллизации имеет место квадратичная зависимость доли кристаллической фазы x от времени t. При островковой кристаллизации зависимость x от t экспоненциальная. Анализ кинетических кривых островковой кристаллизации проведен на основе α-варианта модели Колмогорова. Типу кристаллизации ставится в соответствие безразмерная относительная единица длины δ 0 , равная отношению характерной единицы длины к параметру, характеризующему элементарную ячейку кристалла. Для слоевой кристаллизации δ 0 ∼ 4300−4700. Для мелкокристаллической островковой кристаллизации δ 0 ∼ 110.