Приведены результаты лабораторных экспериментов по изучению влияния воздействия обратного смещения длительностью 60, 600 и 2000 с. на параметры солнечных элементов (СЭ) на основе поглощающего слоя, состоящего из Cu, In, Ga и Se (CIGS) с различными толщинами буферного слоя CdS. Показано, что для обеспечения стабильной работы СЭ CIGS в естественных условиях эксплуатации толщина их буферного слоя должна быть рассчитана с учетом влияния обратного смещения. Результаты измерений вольтамперных характеристик СЭ CIGS показали, что СЭ с меньшей толщиной буферного слоя CdS более устойчив к воздействию обратного смещения. По результатам измерений вольт-фарадных характеристик выяснено, что при воздействии обратным смещением в темноте емкость структуры увеличивается, что соответствует классической модели влияния обратного смещения, и одинакова для элементов с различной толщиной буферного слоя. После воздействия обратным смещением при освещении емкость структуры и концентрация носителей заряда уменьшается, при этом в меньшей степени в элементах с тонким буферным слоем, что также свидетельствует об их устойчивости к обратному смещению.