Методами тока, индуцированного электронным или лазерным пучком, исследована рекомбинационная активность внутризеренных дефектов в мультикристаллическом кремнии. Выявлена взаимосвязь ориентации зерен с характером распределения внутризеренных дефектов (дислокаций и примесных включений) и их рекомбинационной активностью. Дефектная структура зерен исследована с использованием различных методик травления для выявления дефектов. Показано, что плотность и распределение дефектов в зернах зависят от их ориентации относительно оси роста. Поэтому именно внутризеренные дефекты и примеси в большей степени, чем границы зерен, ответственны за деградацию времени жизни неравновесных носителей заряда.
Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда (τ ) в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения τ , обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровклю-чения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC). : 10.21883/FTP.2018.02.45454.8546 DOI ВведениеОсновными параметрами мультикристаллического кремния (мультикремния) для солнечной энергетики, используемыми для оценки его качества, являются элек-трофизические характеристики (удельное электрическое сопротивление, время жизни неравновесных носителей заряда) и параметры макроструктуры, где немаловаж-ную роль играют количество границ зерен в едини-це объема слитка и их типы, а также ориентация кристаллитов. Считается, что столбчатый рост кри-сталлитов и формирование крупноблочной структуры происходят вследствие реализации условий плоского фронта кристаллизации (метод Бриджмена). Достиже-ние электрофизических характеристик мультикремния, соответствующих требованиям солнечной энергетики, возможно при использовании исходного кремния с долей основного вещества от 99.99 до 99.999 ат%. В этом случае концентрации примесей в слитке будут на уровне пределов их растворимости в кремнии и ниже [1]. Уста-новленные нами ранее особенности получения мульти-кристаллического кремния из металлургического крем-ния высокой чистоты показали, что нарушения столб-чатого роста кремния связаны с переходом к вогнутой форме фронта кристаллизации [2]. Это также приводит к возникновению дополнительных дефектов (дислокации, специальные границы и др.), которые, в свою очередь, оказывают влияние на распределение времени жизни неравновесных носителей заряда [3]. Электрическая ак-тивность специальных границ зерен зависит не только от структуры границ, но и от процессов геттерирования примесей на них и ретикулярной плотности содержащих их материнских зерен [4][5][6][7]. Настоящая статья посвя-щена исследованию взаимосвязи электрической актив-ности протяженных дефектов с пространственным рас-пределением времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). Материалы и методы исследованияВ данной работе объектами исследования были бло-ки мультикремния, выращенные методом Бриджмена из высокочистого металлургического кремния (чистота > 99.99%). При соблюдении одинаковых условий кри-сталлизации слитков Крс1, Крс2, Крс3 и Крс4 (ско-рость перемещения тигля 0.5 см/ч, скорость вращения тигля 1 об/мин) варьировалось содержание примесей в исходном металлургическом кремнии. Исходные со-ставы, приведенные в табл. 1, определялись методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой (ИСП-МС) [2].Измерения эффективного времени жизни ННЗ в образцах мультикремния провод...
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
customersupport@researchsolutions.com
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
This site is protected by reCAPTCHA and the Google Privacy Policy and Terms of Service apply.
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.