Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.