Статья посвящена представлению и обсуждению первичных результатов экспериментального исследования возможности применения современных «переходного метода» и «метода бесконтактной квазистационарной фотопроводимости» для более точного, ускоренного и неразрушающего определения времени жизни носителей заряда в кремниевых пластинах, предназначенных в качестве базового материала для изготовления быстродействующих р-п-приборов микроэлектроники и высокоэффективных солнечных элементов. Показано, что метод квазистационарной фотопроводимости основывается на следующих принципах: освещение объекта исследования длительным, медленно затухающим импульсом света; одновременное измерение поверхностной проводимости образца и интенсивности падающего света как функций времени; определение уровня генерации электронно-дырочных пар в полупроводниковом материале по измеренному значению интенсивности падающего света в каждый момент времени; определение квазиравновесной концентрации носителей заряда, исходя из измеренного значения поверхностной проводимости в каждый момент времени; расчет эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в приближении квазиравновесия.