Исследованы структура и электрические свойства прозрачных тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения при различных температурах подложки. Определено, что пленки имеют зернистую структуру. Увеличение температуры подложки приводит к значительному росту проводимости пленок и к уменьшению времени релаксации фотопроводимости. Предложено объяснение влияния температуры подожки на наблюдаемые изменения электрических и фотоэлектрических свойств исследованных пленок оксида индия.

No abstract

No abstract

A comparative analysis of the effect of femtosecond laser irradiation on the structure and conductivity of undoped and boron-doped hydrogenated amorphous silicon ( a -Si: H) is performed. It is demonstrated that the process of nanocrystal formation in the amorphous matrix under femtosecond laser irradiation is initiated at lower laser energy densities in undoped a -Si: H samples. The differences in conductivity between undoped and doped a -Si: H samples vanish almost completely after irradiation with an energy density of 150–160 mJ/cm^2.