Поступило в Редакцию 26 сентября 2016 г.Предложен способ получения наносистем Zn при конденсации слабопересы-щенных паров на систему мембрана анодно-окисленного алюминия (АОА) -подложка (Si). Для эффективного проникновения паров Zn в глубь пор АОА параллельно образующим пор формировался направленный паровой поток, при этом температура внешней поверхности мембраны была выше температуры подложки. Слабые паровые потоки получены при магнетронном распылении Zn в высокочистой инертной среде. Определены оптимальные условия формирова-ния наносистем Zn в виде массива упорядоченных островков на поверхности подложки и связанных нанонитей на поверхности мембраны. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44303.16485 Упорядоченные массивы наноостровков металлов и полупроводни-ков привлекают значительный научный интерес благодаря перспек-тивам их использования в электронике, оптоэлектронике, сенсорах, ультратонких мониторах, устройствах хранения информации высокой плотности [1,2]. Различные наносистемы металлов обычно получают используя наношаблоны в виде мембран анодно-окисленного алюми-ния (АОА) [3][4][5], электронно-лучевую литографию [6-8] и процессы самоорганизации [9,10]. Важно подчеркнуть, что для реализации шаб-лонного метода с применением мембран АОА обычно используется электролитическое осаждение [4,5]. Необходимым условием реализации электролитического осаждения является достаточная для этого электро-проводность подложек. Следовательно, спектр применяемых при этом подложек имеет определенные ограничения.В отличие от электролитического осаждения для формирования упорядоченных массивов наноостровков Zn нами предложен более универсальный метод конденсации вещества вблизи термодинамиче-ского равновесия на систему мембрана АОА -подложка. При этом 94