В работе дано теоретическое объяснение экспериментально обнаруженному эффекту уменьшения энергии возбуждения поверхностных и объёмных плазменных колебаний валентных электронов кремния Si (111) при имплантации ионов В, Ва и щелочных элементов с большой дозой D > 1016 см−2 . Наблюдаемый эффект уменьшения энергии плазмонов Si (111) объясняется сильным затуханием колебаний валентных электронов вследствие сильного разупорядочения кристаллической структуры Si (111) вплоть до полной аморфизации.

В работе методами магнетронного и лазерного распыления объемного силицида марганца Mn4Si7 на поверхности различных подложек (Si, SiO2, ситалл и слюда) выращены тонкие пленки Mn4Si7, определены оптимальные режимы формирования пленок, обеспечивающих высокие значения термоэлектрических характеристик. Кроме того, исследована морфология поверхности, кристаллическая структура и элементный состав полученных пленок. Установлено, что термоэдс пленок высшего силицида марганца при переходе из аморфного состояния в нанокристаллическое увеличивается, что объясняется селективным рассеянием носителей заряда на границах нанокластеров. Также показано, что наибольшим коэффициентом преобразования обладают пленки высшего силицида марганца, выращенные на подложке из слюды, что связано с низкой удельной теплопроводностью слюды. Пленки на SiO2 имеют меньший коэффициент преобразования, однако они обладают высоким быстродействием, а пленки на слюде и ситалле имеют высокую чувствительность и поэтому они могут быть использованы в приемниках теплового излучения волн ИК диапазона.