Моделируется влияние бокового расширения затвора на пороговое напряжение и коротко- канальные эффекты в КНИ FinFET транзисторе. Рассматривается транзистор с различной формой базы. Показано, что боковое расширение приводит к уменьшению DIBL эффекта и SS. Наименьшие и наибольшие значения DIBL и SS наблюдаются для транзистора с треугольным и прямоугольным поперечными сечениями. Пороговое напряжение практически не изменяется.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.