Методом высокочастотного распыления получены тонкие пленки Bax Sr 1−x TiO 3 на (111)Pt/(100)Si и SiOx /(100)Si подложках. Установлено, что синтезированные пленки однофазны, обладают поликристал-лической структурой. Показано, что подслой платины оказывает влияние на значения шероховатости, средний размер зерен и величину локальной поляризации в тонких пленках Bax Sr 1−x TiO 3 . Обсуждаются возможные механизмы полученных результатов, связанных с проводимостью межзеренных границ и природой взаимодействия сегнетоэлектрической пленки с подложкой.Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты № 16-07-00665 и 16-07-00666) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН " Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий".

The conduction characteristics of the inversion channel of Si-transistor structures after the ionic polarization and depolarization of samples are measured in (0–5)-T transverse magnetic fields at temperatures from 100 to 200 K. After ionic polarization in a strong electric field at 420 K, no less than 6 × 10^13 cm^–2 ions flowed through the oxide. The previously found tenfold increase in the conductivity in the source–drain circuit after the polarization of insulating layers is explained by the formation of a new electron transport path along the surface impurity band, related to delocalized D^– states; these states are generated by neutralized ions located in the insulating layer at its interface with the semiconductor.