Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концен-трацией свободных носителей 10 18 −10 19 см −3 , сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстри-руют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна−Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии.