Создан фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы модулированно-легированного бором алмаза. Поглощение электромагнитного излучения происходит в тонком биметаллическом слое Cr (толщина 7 nm) и Au (толщина 5.5 nm), находящемся на поверхности осажденной алмазной пленки, состоящей из высоколегированного (до концентрации 5· 1019 cm-3) дельта-слоя с толщиной 3 nm, низколегированного (~ 1017 cm-3) слоя с толщиной 800 nm и высоколегированного (1020 cm-3) слоя с толщиной ~ 10 mum, на котором сформирован омический контакт Ti(50 nm)/Pt(15 nm)/ Au(30 nm). Рождающиеся в биметаллическом слое дырки диффундируют в алмаз, ускоряются электрическим полем, создаваемым пространственным зарядом в низколегированном слое, и создают фототок. Измеренная ампер-ваттная чувствительность достигает 1 muA/W при длине волны излучения 445 nm и 0.18 muA/W при 1.06 mum. DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45343.16860