Проведены исследования спектральных зависимостей коэффициента оптического поглощения n-Bi2Te3 в диапазоне 40-300 мэВ в зависимости от концентрации электронов и толщины образцов при комнатной температуре с целью определения параметров дополнительной подзоны в зоне проводимости теллурида висмута и ее возможного влияния на транспорт носителей заряда. Показано, что теллурид висмута является прямозонным полупроводником с дополнительной подзоной в зоне проводимости. Эти данные согласуются с исследованиями квантовых осцилляций в n-Bi2Te3 в сильных магнитных полях при температурах ниже 20 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44630.16