The results of investigations of the optical-absorption spectra of bismuth-silicate (Bi_12SiO_20) single crystals are presented. The band-gap width and the characteristic Urbach energy are determined. The effect of preliminary X -ray irradiation on the behavior of the experimental spectral dependences and the values of the characteristic parameters induced by the bismuth-silicate defect structure is established.

Представлены результаты исследования спектров оптического поглощения в тонких пленках оксида цинка ZnO, полученных методом реактивного катодного распыления. Наблюдаемое поглощение света в области энергий фотонов, меньших ширины запрещенной зоны, объясняется присутствием в запрещенной зоне хвостов плотности локальных состояний. Определены ширина запрещенной зоны и характеристическая энергия Урбаха. Установлено влияние особенностей структуры и примесного фактора на поведение полученных экспериментальных спектральных зависимостей. Ключевые слова: оксид цинка, ширина запрещенной зоны, модель Тауца, энергия Урбаха.