Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X ║ [100], X ║ [110], X ║ [111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТР ефекту в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості при зростанні X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X ║ [100] відбувається повне усунення f-переходів з міждолинного розсіювання при великому енергетичному розщепленні однотипних ∆1-долин (∆ε > 10 кТ), що веде до зростання при цьому рухливості електронів у температурному інтервалі 78–300 К. На величину  рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів при розщепленні однотипних ∆1 долин не впливає. Крім того, наведено технологічні розробки, які використовує фірма “Intel Corporation” при виробництві інтегральних мікросхем з одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів.