Методом лазерного распыления в вакууме созданы эпитаксиальные гетероструктуры InFeSb/GaAs. Исследования методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы. Исследования магнитотранспортных свойств обнаружили, что в структурах наблюдается аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление вплоть до комнатной температуры. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России), при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а) и гранта (МК-8221.2016.2) Президента Российской Федерации.

Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250 • C (InSb : Fe), 300 • C (InAs : Fe) и 350 • C (GaSb : Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 at.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях-намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs : Fe, InSb : Fe обладают проводимостью n-типа, а GaSb : Fep-типа за счет собственных точечных дефектов. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания-проект № 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты № 17-37-80008_мол_эв_а, 16-07-01102_а).