Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 10 13 см −3 , зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках.

В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследова-лись процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации.