No abstract

Представлено результати експериментальних досліджень по запису мікрорельєфних структур сфокусованим лазерним випромінюванням з довжиною хвилі 405 нм на плівках неорганічних фоторезистів системи Ge-Se. Показано, що мікрорельєфні структури глибиною 100 нм можуть бути отримані на неорганічних фоторезистах складу GeSe3. Збільшення вмісту германію (досліджувався склад GeSe2) не дозволяє отримувати мікрорельєфні структури з глибиною рельєфу, необхідною для виготовлення дисків-оригіналів, які використовуються у виробництві DVD і BD компакт-дисків. Плівки з високим вмістом Se (GeSe8) характеризуються наявністю кристалічних включень і не можуть бути використані для отримання мікрорельєфних структур при запису інформації на диски-оригінали. Табл.: 2. Іл.: 4. Бібліогр.: 19 найм.

No abstract

The investigation results of (As 2 S 3) 100-х (SbSI) х amorphous films transmission spectra depending on exposition conditions are given. It was established that laser illumination of (λ=530 nm) films leads to the absorption edge shift into the longwave spectrum region. The values of pseudo-gap width E g and refractive index n are determined. It's been shown that E g decreases, and n increases with irradiation time growing. Changes of optical characteristics in films are caused by structural transformations taking place in them under laser radiation.