Представлены результаты комплексного исследования водородсодержащего сегнетоэлектрика триглицин-сульфата (TGS) методами атомно-силовой микроскопии (AFM) и диэлектрической спектроскопии. В режиме микроскопии пьезоэлектрического отклика (PFM) in situ изучена динамика доменной структуры при нагреве и охлаждении кристалла TGS вблизи фазового перехода. Получены релаксационные зависимости общего периметра доменных границ и размеров доменов. Измеренные в диапазоне частот от 10 до 10 11 Hz диэлектрические спектры TGS проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводимости в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры.Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП ИК РАН при поддержке Министерства образова-ния и науки.