Проведено розрахунки локального електромеханічного відгуку тонких плівок напівпровідників-іоніків, викликаного локальними змінами концентрації іонів (стехіометричний внесок) та вільних електронів і дірок (електрон-фононна взаємодія внаслідок деформаційного потенціалу). Отримано динамічні деформаційно-вольтові петлі гістерезису в тонкій плівці іоніка-напівпровідника з рухливими акцепторами (донорами) і дірками (електронами). У випадку "блокуючих" електродів, які не пропускають іони, зміни концентрації дірок (електронів) вносять основний внесок у залежність механічного зміщення поверхні плівки від електричної напруги, прикладеної до зонда, що безпосередньо реєструється методами скануючої зондової мікроскопії (СЗМ). Таким чином, СЗМ переміщення поверхні іоніка-напівпровідника може надати важливу інформацію про локальні зміни зарядового стану акцепторів (донорів) та електрон-фононні кореляції через деформаційний потенціал.