Исследовано влияние гамма-излучения малых экспозиционных доз (5-40 kR) на электрические характеристики структур на основе слоя мезопористого кремния (SiMP). Показано, что в структуре Al/SiMP/p-Si/Al воздействие гамма-квантов приводит к возрастанию проводимости слоя SiMP, смещению уровня Ферми, изменению концентрации ловушек. Обнаружена долговременная память стабильного переключенного состояния в области гистерезиса I-V-характеристики, управляемая дозой излучения. DOI: 10.21883/PJTF.2017.03.44228.16408

The possibility of modifying the photoluminescence properties of porous silicon by irradiation with low doses of γ photons from a ^226Ra radioisotope source and bremsstrahlung is demonstrated. The position of the longest photoluminescence wavelength tends to shift to the short-wavelength region of the spectrum. The emission efficiency increases upon irradiation of both the substrate and the layer formed.