Исследованы фотолюминесцентные свойства сверхрешеток на основе нитрида и оксида кремния, изготовленных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. В структурах, отожженных при температуре 1150oC, зарегистрированы пики фотолюминесценции в районе 1.45 эВ, обусловленные рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах, формируемых в результате отжига. Наряду с этим были зарегистрированы пики, вызванные рекомбинацией на дефектах, существующих на границе нанокристаллов и матрицы нитрида кремния. Структуры, отожженные при температуре 900oC, имеют ряд пиков фотолюминесценции в диапазоне 1.3-2.0 эВ, обусловленных как дефектами, так и рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах, формирующихся при используемой температуре отжига. Наблюдаемые особенности всех спектров фотолюминесценции подтверждаются характером ее кинетики. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44106.8323