Фрактально-перколяционная система, включающая протяженные дефекты и случайные флуктуации состава твердого раствора, формируется в процессе роста приборных структур на основе нитридов элементов III группы. Установлено, что свойства этой системы определяются не только условиями роста. Показано, что многообразие электрических и оптических свойств светодиодов InGaN/GaN, излучающих на длинах волн 450−460 и 519−530 нм, а также электрофизических свойств HEMT-структур AlGaN/GaN вызвано модификацией свойств фрактально-перколяционной системы как в процессе роста, так и под действием инжекционного тока и радиационных воздействий. Обсуждается влияние этих особенностей на срок службы светоизлучающих приборов и надежность HEMT-структур AlGaN/GaN.