No abstract

Поступила в Редакцию 26 августа 2019 г. В окончательной редакции 6 ноября 2019 г. Принята к публикации 7 ноября 2019 г.Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния.Ключевые слова: графен, ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, дефекты кристаллической решетки, нитрид бора, туннельный транзистор, резонансное туннелирование.Abstract Investigated resonant tunneling through defect levels in h-BN barrier van der Waals heterostructures. The effect of multiplication of tunnel resonances through these levels was found, due to the influence of a high degree of defectiveness of the structure of the neighboring layer of graphene, created by intentionally processing in plasma. Various mechanisms of such influence are discussed.