Исследована трекинг-сила, действующая на релятивистский электронный пучок со стороны омического плазменного канала достаточно малой проводимости. Показано, что при заданном характере развития резистивной шланговой неустойчивости вдоль импульса пучка данная сила существенно зависит от частоты и инкремента нарастания рассматриваемой неустойчивости. DOI: 10.21883/JTF.2018.01.45492.2182 Введение Определенный интерес в рамках задачи распростра-нения релятивистских электронных пучков (РЭП) в плотных газоплазменных средах представляет исследо-вание устойчивой проводки пучков по предваритель-но созданным омическим плазменным каналам [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. В работе [5] была предложена модель для расчета трекинг-силы, действующей на РЭП, испытывающий поперечные смещения и распространяющийся внутри однородного по радиусу омического плазменного ка-нала низкой проводимости. В этом случае основную роль играют электростатические силы взаимодействия отклоненного в поперечном направлении пучка и гене-рированным на границе плазменного канала дипольным возмущенным зарядом. Однако в [5] не был проведен численный анализ зависимости трекинг-силы от ско-рости нарастания амплитуды шлангового отклонения пучка и от временной частоты изменения указанной амплитуды. Этим вопросам и посвящена настоящая работа. Постановка задачиРассмотрим параксиальный моноскоростной в про-дольном направлении азимутально-симметричный РЭП, распространяющийся вдоль оси z цилиндрической си-стемы координат (r, θ, z ) вдоль предварительно со-зданного омического плазменного канала низкой ска-лярной проводимости σ ch , когда выполнено условие 4πσ ch R b0 /c ≤ 1, где R b0 -характерный радиус пучка, c -скорость света. Будем предполагать, что прово-димость σ постоянна до некоторого радиуса R ch и равна σ ch , а при r > R ch равна нулю. Предполагается, что при шланговых поперечных отклонениях пучок не выходит за пределы плазменного канала. При этом по-лагается, что динамика резистивной шланговой неустой-чивости (РШН) ограничена только линейным режимом, когда выполнено соотношение Y /R b0 ≪ 1, здесь Y -амплитуда поперечных отклонений оси симметрии пучка при развитии указанной неустойчивости.В работе [5] было получено уравнение динамики РШН РЭП в омическом плазменном канале низкой проводи-моси, которое является электростатическим аналогом, соответствующим уравнению РШН в режиме высокой проводимости предварительно созданного омического плазменного канала [2,3]. Указанное уравнение имеет видгде I b -полный ток пучка, I A -предельный ток Альф-вена, ρ b0 -невозмущенная плотность заряда пучка, 0 и 1 -соответственно невозмущенный и возмущенный скалярный электрический потенциал электромагнитного коллективного поля системы плазма-пучок. С помощью выделения вклада дипольного заряда на границе однородного плазменного канала в урав-нение (1), решения возмущенного решения Пуассона для потенциала 1 и условия временного изменения дипольного заряда при r = R ch за счет омического тока в возмущенном электростатическом поле по аналогии с результатами работы [5] мы формулируе...

No abstract