Из первых принципов на основе метода функционала плотности рассчитан фотопорог слоистого кристалла α-GeS в зависимости от его толщины. Для моделирования кристалла конечной толщины использовался метод периодических пластин. Две соседние кристаллические пластины, состоящие из нескольких слоев, разделялись вакуумом толщиной в 4 слоя, что соответствует удвоенному размеру элементарной ячейки объемного кристалла. Показано, что при толщине кристалла более 10 слоев величина фотопорога практически не меняется.