Нитрид кремния, включая нестехиометрический SiN (x < 4/3), остается базовым материалом в наноэлектронике, что делает актуальным исследование мемристоров на его основе. Нами проведен обзор современных работ в этой области с акцентом на выявленные их авторами механизмы и модели проводимости; проведена систематизация в табличной форме. Кратко рассмотрены физические принципы, положенные в основу семи используемых разными авторами моделей, и сделан вывод о необходимости разработки синтетической модели, валидной на всех участках петли гистерезиса вольтамперной характеристики. По сравнению с мемристорами на основе оксидов переходных металлов такая синтетическая модель обязательно должна учитывать: 1) прыжки носителей заряда между ловушками; 2) процессы зарядки/перезарядки ловушек; 3) изменения локальных характеристик (подвижность, диэлектрическая проницаемость, температура) при электрополевом воздействии.