Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, резонансная активация.

Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO2(Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO2(Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.