Предложена модель быстрого формирования высококонтрастной периодической структуры, возникающей на поверхности полупроводника под действием лазерного излучения. В рамках модели среды с нелинейной диффузией неравновесных носителей (дефектов) рассмотрен процесс вырастания поверхностной структуры за счет взаимодействия поверхностных плазмон-поляритонов, возбуждаемых на неравновесных электронах, с падающим лазерным излучением. Предсказан резонансный эффект сверхбыстрого пико- и субпикосекундного усиления генерируемой на поверхности плазмон-поляритонной структуры, при реализации которого может быть получена высококонтрастная решетка дефектов. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект N 14.Z50.31.0015) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 16-42-730398). DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45222.026

No abstract