Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533

The results of a study of the electroluminescence of the asymmetric InAs/InAs1−ySby/InAsSbP LED heterostructures with a molar fraction of InSb in the ternary solid solution in the active region y=0.15 and y=0.16 in the temperature range 4.2−300 K are presented. Based on the experimental data, the formation of a staggered type II heterojunction at the InAs1−ySby/InAsSbP heterointerface was determined. The dominant contribution of the interface radiative transitions at the type II heterointerface in the temperature range 4.2−180 K was shown, which makes it possible to minimize the temperature dependence of the operating wavelength of the LEDs.