No abstract

Исследована возможность использования пленок аморфного алмазоподобного углерода (diamond-like carbon, DLC) для самоотделения слоев нитрида галлия (GaN), выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Пленки DLC были синтезированы методом плазмохимического осаждения при пониженном давлении на подложках сапфира (Al2O3) с кристаллографической ориентацией (0001). Проведены исследования образцов методами комбинационного рассеяния света и рентгеноструктурного анализа. Показано, что тонкие пленки DLC не оказывают существенного влияния на процессы зарождения и роста пленок нитрида галлия. При этом уменьшается прочность границы раздела "пленка GaN-подложка Al2O3", что способствует отделению слоев GaN.