Исследованы закономерности дырочного транспорта в его взаимосвязи с перколяционным магнетизмом, обусловленным локализованными носителями заряда, одновременно участвующими в формировании магнитных и электрических свойств тонких пленок Ge : Mn. Установлено, что при температурах T>22 K в образцах Ge : Mn (2 at.% Mn) происходит безактивационный зонный перенос носителей заряда. При низких температурах имеет место прыжковый механизм с переменной длиной прыжка. Работа поддержана грантом Президента РФ МК-5754.2016.3. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44163.317