В настоящей работе, являющейся продолжением исследований по легированию химически осажденных слоев PbS(I), обсуждается влияние ионов кобальта на их морфологические, структурные, оптические и фотоэлектрические свойства. Элементным энергодисперсионным анализом показано, что кобальт обнаруживается в пленках при концентрации его хлорида в реакционной смеси ≥0.04 моль/л. Полученные пленки PbS(I, Co) сохраняют кубическую B1 структуру (пр. гр. Fm3m). Установлена тенденция повышения ширины запрещенной зоны пленок PbS(I, Co) от 0.57 до 0.75 эВ с ростом в них содержания наночастиц с 1 до ~8% при 1.5-часовом осаждении и от 0.57 до 0.68 эВ --- с 13 до ~28% при 3-часовом процессе. На концентрационной зависимости вольтовой чувствительности пленок PbS(I, Co), осажденных в течение 1.5 ч, наблюдаются два максимума, соответствующие 1 и 4% содержанию в них наночастиц. При трехчасовом процессе синтеза отмечено резкое снижение фотоответа с увеличением содержания частиц нанодиапазона до ~13-28% в слоях PbS(I, Co). Показано, что плотность фототока снижается с увеличением содержания наночастиц в пленках в ряду PbS(Сo) -> PbS->PbS(I, Сo)->PbS(I). Ключевые слова: сульфид свинца, химическое осаждение, легирование кобальтом, морфология пленок, структурные свойства, ширина запрещенной зоны, вольтовая и токовая фоточувствительность.

Chemical deposition of the films consisting of CdxPb1−xS substitutional solid solutions with a cubic B1 structure was carried out from aqueous solutions on the substrates made of single-crystal silicon, sitall, conductive ITO coating and glass. Comparative analysis of films deposited on the various substrates has revealed a number of features associated with their morphology, grain size, elemental and phase composition. It was suggested to describe the diffraction reflection profiles using three- or two-phase models, taking into account the diffuse scattering background from an amorphous material or excluding reflections from the crystalline substrate material in order to increase the quantitative assessment of the structural parameters of CdxPb1−xS films obtained on various substrates. X-ray diffraction, XPS and optical studies have shown that the synthesized films contain, in addition to the CdxPb1−xS phase, impurity wide-gap compounds: Pb(OH)2, Pb(OH)(СН3СОО) and CdS.