Методами квантовой химии проведено исследование электронной структуры аллотропов 2D SiC с числом слоев n = 1-3. Установлено, что 2D структуры карбида кремния образуют семейство полупроводниковых материалов с шириной запрещенной зоны от 1.132 до 2.150 эВ, а послойный рост структур определяет изменение типа проводника от прямозонного однослойного SiC к непрямозонному при числе слоев n = 2, 3. Исключением являются метастабильные структуры с шириной прямозонного перехода 1.339 и 1.132 эВ. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-43-360281 р_а)