Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после об-лучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C 60 . DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44343.8451 ВведениеВ последнее время пористый кремний активно ис-пользуется в электронике и оптоэлектронике в каче-стве ориентирующих подложек для роста различных наноструктур [1,2], как широкозонный материал для комплементарных металлооксидных полупроводниковых технологий (CMOS-технологий) [3], для фотодетекто-ров [4] и солнечных элементов [5], для одномерных фотонных кристаллов [6,7], химических и биологических сенсоров [8] и т. д. Такие приборы находят применение в различных отраслях промышленности, в том числе в военной, космической технике и атомной энергетике, где они могут подвергаться воздействию ионизирующего излучения. Дефекты, возникающие в CМОS-структурах на кремнии под воздействием жесткого ионизирующего облучения, приводят к частичному или полному отказу аппаратуры вследствие окисления кремния после обра-зования дефектов и потери его свойств [9]. По этой при-чине изучение радиационной стабильности пористого кремния и методов защиты его от окисления являются важными темами исследования.Вместе с тем влияние γ-излучения на свойства по-ристого кремния изучено недостаточно, и имеющиеся экспериментальные данные противоречивы. Имеются данные, показывающие, что под действием γ-облучения существенно изменяются структурные характеристи-ки [10], электрические и оптические свойства [11] пори-стого кремния. Недостаточно ясным является вопрос о влиянии γ-облучения на фотолюминесценцию (ФЛ) это-го материала. В различных работах [12,13] отмечается как увеличение, так и уменьшение интенсивности ФЛ; отмечались также различные изменения формы спектров ФЛ -смещение как в " красную", так и в " голубую" сторону. Анализ литературных данных существенно за-труднен тем, что дозы и условия облучения (на воздухе, в вакууме) у различных авторов существенно разли-чаются. Однако все авторы отмечают сильное влияние γ-облучения на свойства пористого кремния (por-Si), по-этому вопрос стабильности свойств por-...

Radiation stability of the nanoporous silicon under gamma irradiation was investigated. Changes in the properties of porous silicon under gamma irradiation were registered by measurements of photoluminescence spectra and Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. Besides the appearance of point defects and their subsequent oxidation, the significant differences were shown to be in the behavior of the porous silicon properties in comparison with that of bulk silicon apparently due to the quantum size nature of nanoporous silicon.