No abstract

Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. Определены оптимальные условия (Tso = 1000−1100 K, Tsu = 570−670 K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром a = 6.481 ¦ .Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c n-и p-типом проводимости.